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Transistor bipolaire à barrière isolée (IGBT) et matrices de diode avec puces SPT, SPT+, SPT++ et TSPT+

Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute puissance offrent de faibles pertes combinées à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de commutation les plus faibles, un fonctionnement complet à 175 °C avec ZOS carrée complète et un ensemble standard permettant un remplacement par insertion.
Pour télécharger et imprimer des fiches techniques en format PDF, cliquez sur les numéros de pièce. 

 

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Numéro de pièce Tension
VCES(V)
Courant
IC(A)
Type Emballage  Modèle Plecs Offre
5SNG 0600R120500  1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0600R120590 1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0900R120500 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak   Demande
5SNG 0900R120590* 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak
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Numéro de pièce Tension
VCES (V)
Courant
IC (A)
Type Emballage  Modèle Plecs Offre
5SNG 0600R120500  1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0600R120590 1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0900R120500 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak   Demande
5SNG 0900R120590 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak
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