Prestigious Best Paper Award

Hitachi Énergie est fière de féliciter Lars Knoll et ses coauteurs Gianpaolo Romano et Andrei Mihaila, qui ont remporté le prix PCIM Asia 2021 Best Paper Award pour leur papier intitulé SiC Power MOSFETs de 3,3 kV avec diélectrique de barrière High-k.

L'article décrit comment la contribution du canal de la résistance globale des MOSFET planaires de 3,3 kV a été étudiée et améliorée en utilisant un diélectrique de barrière à haute teneur en k. Il décrit la façon dont la contribution du canal pourrait être réduite de manière significative tout en maintenant un fonctionnement supérieur de la diode bipolaire du corps, et illustre comment un fonctionnement répétitif fiable et un comportement robuste dans la RB et la SCSOA pourraient être démontrés.

« Je suis honoré de recevoir ce prix prestigieux. Depuis plusieurs décennies, nous sommes à la fine pointe de l’innovation en matière d’électronique de puissance dans Si et SiC, et c’est une autre preuve que nous poursuivons cet héritage », a déclaré Lars Knoll, chef des puces R&D BiMOS SiC, semiconducteurs, Hitachi Énergie et auteur principal de l’article. « Cette grande réalisation repose sur le mérite de tous nos experts en semi-conducteurs électriques qui développent constamment des technologies avancées avec une fiabilité ultime et perfectionnent l’art de la fabrication. »

PCIM (abréviation de Power Conversion, Intelligent Motion) Asia est la première exposition et conférence en Chine pour les spécialistes de l’électronique de puissance et de ses applications et de la qualité de l’alimentation. L’événement offre aux chercheurs, développeurs et experts de l’industrie et du milieu universitaire la chance de voir les derniers développements en matière de composants et de systèmes électroniques de puissance, et de discuter et d’échanger des visions sur les futurs systèmes, appareils et technologies électroniques de puissance.

Grâce à ses prix annuels Best Paper and Young Engineer Awards, PCIM Asia a honoré des contributions exceptionnelles depuis plus de dix ans et soutient les jeunes talents dans l’industrie de l’électronique de puissance.

Le conseil consultatif de PCIM Asia a choisi les participations gagnantes de cette année parmi plus de 60 documents soumis pour la conférence et l’exposition PCIM Asia qui a eu lieu à Shenzhen du 9 au 11 septembre 2021, les gagnants du prix Best Paper and Young Engineer Award étant honorés le premier jour de la conférence et de l’exposition. Lors de la conférence de cette année, Hitachi Énergie, Semiconductors, a présenté quatre articles, une présentation sur le forum de mobilité électronique et a souligné ses dernières percées technologiques à son kiosque dans la zone de mobilité électronique de l’exposition.

3,3 kV SiC Power MOSFET avec diélectrique de barrière High-k.

Les MOSFET SiC Power de 3,3 kV, appelés module SiC LinPak, permettront un flux de puissance plus efficace dans les trains et les tramways électriques; ces appareils amènent les gens au travail. Permettre un fonctionnement fiable et amélioré des entraînements à moyenne tension dans les moteurs électriques réduira la consommation d’énergie de l’un des plus grands systèmes électriques au monde, ce qui aura un impact significatif sur les économies d’énergie dans le monde entier.

SiC est un semi-conducteur à large bande avec des propriétés clés, ce qui le rend extrêmement attrayant pour les applications dans l’électronique de puissance. Grâce à la force de champ électrique accrue, à la capacité de température plus élevée et à une meilleure conductivité thermique, les MOSFET SiC ont des densités de puissance beaucoup plus élevées que leurs homologues Si (silicon). De plus, puisque les dispositifs sont maintenant plus efficaces, des MOSFET haute tension (c.-à-d. 3,3 kV et plus) sont possibles. Ces améliorations signifient que l’efficacité du système de conversion de l’alimentation est améliorée, qu’une empreinte réduite est atteinte et que les exigences de refroidissement sont beaucoup plus faibles. Le nouveau SiC LinPak permet une fréquence de commutation accrue, réduisant considérablement les exigences de filtrage. Cela rend la courbe d’onde de sortie beaucoup plus lisse, protégeant le moteur tourné par le variateur.