Moduli con transistor bipolari a gate isolato (IGBT) e diodi muniti di chip SPT, SPT+, SPT++ e TSPT+

I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ad alta potenza offrono basse perdite combinate con ottime prestazioni di commutazione graduale e un’area operativa di sicurezza (SOA) che batte ogni record. I nuovi moduli IGBT 62Pak e LoPak di media potenza a commutazione veloce presentano le perdite di commutazione più basse, piena operatività a 175 °C con ampia area SOA e un pacchetto standard che consente sostituzioni rapide.
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