Systèmes de test pour semi-conducteurs haute puissance
Hitachi Énergie offre des systèmes d’essai pour divers environnements comme la recherche et le développement, le laboratoire, la production ou l’analyse des défaillances. L’assurance de la qualité la plus élevée, la manipulation sécuritaire, ainsi que la capacité de service à distance ou sur place sont garanties.
Systèmes de test de semi-conducteurs à haute puissance
Hitachi Énergie offre des systèmes des essais de série statiques et dynamiques pour la plupart des types de dispositifs à semi-conducteurs de puissance. Ils peuvent gérer des matrices, des substrats, des sous-modules, des modules, des plaquettes et des dispositifs de presse. Des systèmes de test de fiabilité pour les biais inversés à haute température, la durée de vie de fonctionnement intermittente ou les tests de courant de surtension sont également disponibles. Les pièces du testeur auxiliaire comprennent les unités de serrage, de décharge du condensateur, de préchauffage, d’acquisition de données et d’extraction de paramètres ainsi que les unités de barrière IGBT et thyristor programmables.
Paramètre
Les systèmes d’essai Hitachi Energy couvrent une plage allant jusqu’à 14 kV et 10 kA et utilisent une inductance de faible distance réglable. Pendant les tests, le dispositif à pince testé (DUT) peut être chauffé avec précision jusqu’à 185 °C pour les systèmes de production ou refroidi jusqu’à -40 °C dans une chambre environnementale pour les systèmes d’ingénierie. Les unités de serrage peuvent prendre en charge des dispositifs jusqu’à 240 mm de diamètre et peuvent appliquer une force de serrage allant jusqu’à 240 kN.
Automatisation
Nos systèmes d’essai sont conçus pour une intégration facile dans l’équipement de manutention automatisé. Le logiciel du système de test est compatible avec les systèmes de commande commerciaux tels que les systèmes d’exécution de la fabrication (MES) et l’assurance de la qualité assistée par ordinateur (CAQ).
- Systèmes de test BiPolar
- Systèmes de test IGBT et SiC MOSFET
| Thyristor et diode statique / dynamique | GTO et diode statique | GTO et diode dynamique | |
Tension de blocage CA ou CC |
X | X | X |
|---|---|---|---|
| Caractéristiques de la gâchette | X | X | |
| Tension à l’état actif et avant |
X | X | |
| Frais de récupération inversés | X | X | |
| DV/dt critique | X | ||
| Temps d’arrêt par circuit | X | ||
| Activation/désactivation | X | X |
Systèmes d’essai de fiabilité
- Biais inverse haute température
- Durée de vie utile intermittente/Recyclage de l’alimentation
- Courant de surtension
- Testeur de fréquence
Unité auxiliaire
- Unité de serrage
- Unité de décharge du condensateur
- Unité de préchauffage
- Unités de gâchette IGBT et thyristor programmables
- Unités d’acquisition de données et d’extraction de paramètres
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