Sistemas de prueba para semiconductores de alta potencia
Hitachi Energy ofrece sistemas de prueba para numerosos entornos como investigación y desarrollo, laboratorio, producción o análisis de fallos. Garantizamos máxima calidad, manejo seguro y capacidad de servicio remoto o en las instalaciones.
Sistemas de prueba para semiconductores de alta potencia
Hitachi Energy ofrece sistemas de prueba de producción estática y dinámica para la mayoría de los dispositivos semiconductores de energía. Pueden manejar matrices, sustratos, submódulos, módulos, placas y dispositivos montados a presión. También se encuentran disponibles sistemas de pruebas de fiabilidad para polaridad inversa a alta temperatura, vida útil intermitente o sobrecorriente. Las piezas auxiliares del comprobador incluyen unidades de sujeción, descarga de condensadores, precalentamiento, adquisición de datos y extracción de parámetros, además de unidades programables de puerta de tiristor e IGBT.
Parámetros
Los sistemas de prueba de Hitachi Energy cubren un rango de hasta 14 kV y 10 kA y utilizan inductancias de corriente de fuga configurables hasta un mínimo de 60 nH. Durante las pruebas, el dispositivo en pruebas sujeto se puede llevar con precisión hasta una temperatura de 200 °C para sistemas de producción o refrigerarse hasta -40 °C en una cámara ambiental para sistemas de ingeniería. Las unidades de sujeción pueden manejar dispositivos de hasta 240 mm de diámetro y pueden aplicar una fuerza de sujeción de hasta 240 kN.
Automatización
Nuestros sistemas de prueba están diseñados para una fácil integración con equipos de manipulación automatizados. El software del sistema de prueba es compatible con sistemas comerciales de control, como sistemas de ejecución de fabricación y garantía de calidad asistida por computadora.
- Sistemas de prueba bipolar
- Sistemas de pruebas para IGBT y SiC MOSFET
| Prueba estática/dinámica de tiristor y diodo | Prueba estática de GTO y diodo | Prueba dinámica de GTO y diodo | |
Bloqueo de tensión de CA o CC |
X | X | X |
|---|---|---|---|
| Características de puerta | X | X | |
| Estado activado, tensión directa |
X | X | |
| Carga de recuperación inversa | X | X | |
| dV/dt crítico | X | ||
| Tiempo de desactivación de conmutación de circuito | X | ||
| Activación/desactivación | X | X |
Sistemas de pruebas de fiabilidad
- Polaridad inversa a alta temperatura
- Ciclo de alimentación/vida útil intermitente
- Sobrecorriente
- Comprobador de frecuencia
Unidad auxiliar
- Unidad de sujeción
- Unidad de descarga del condensador
- Unidad de precalentamiento
- Unidades programables de puerta de tiristor e IGBT
- Unidades de adquisición de datos y extracción de parámetros
Contacto
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