対照ゲートターンオフサイリスタ(GTO)
日立エナジーの対照ゲートターンオフサイリスタ(GTO)は、伝導損失が低くなるように最適化されています。一般的なオン/オフスイッチング周波数は、ほとんどのアプリケーションで200~500ヘルツの範囲です。GTOは、本質的に比較的遅いスイッチです。
GTOの生産は1980年代半ばに始まりました。GTOは、ゲートに電源を入れるのに必要な方向と逆方向に電流を印加することでオフにできるサイリスタです。
GTOは、伝導損失が低くなるように最適化されています。一般的なオン/オフスイッチング周波数は、ほとんどのアプリケーションで200~500ヘルツの範囲です。GTOは、本質的に比較的遅いスイッチです。
オン状態からオフ状態へ、またその逆の一般的な遷移時間は、10~30マイクロ秒の範囲です。すべてのGTOをオン/オフにするためには、「スナッバー」と呼ばれる保護ネットワークが必要です。ターンオンスナッバー回路は、本質的にインダクタであり、電流上昇率を制限します。オフにするには、GTOは、電圧上昇率を制限するデバイス、すなわちコンデンサを必要とします。
日立エナジーGTOはすべて圧接型デバイスです。これらは、電源端子への電気接点としても機能するヒートシンクに比較的高い力で押し付けられます。
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