高出力半導体の試験システム
日立エナジーは、研究開発、研究所、生産、故障分析など、さまざまな環境向けの試験システムを提供しています。最高の品質保証、安全な取り扱い、リモートまたはオンサイトのサービス機能が保証されています。
高出力半導体試験システム
日立エナジーは、ほとんどのタイプのパワー半導体素子向けに静的および動的な生産試験システムを提供しています。ダイ、基板、サブモジュール、モジュール、ウェハ、圧接型デバイスに対応します。また、高温逆バイアス、断続動作寿命、サージ電流試験の信頼性試験システムも利用できます。補助テスター部品には、クランプ、コンデンサ放電、予熱、データ収集、パラメータ抽出ユニット、プログラム可能なIGBTおよびサイリスタゲートユニットが含まれます。
パラメータ
日立エナジーの試験システムは、最大14kVおよび10kAの範囲をカバーし、60nHまでの設定可能な漂遊インダクタンスを使用します。試験中、クランプ留めされたテスト対象デバイス(DUT)は、生産システムの場合は200°Cまで正確に加熱、エンジニアリングシステムの場合は環境チャンバー内で-40°Cまで冷却することができます。クランプユニットは、直径240mmまでのデバイスに対応し、240kNまでのクランプ力を加えることができます。
自動化
当社の試験システムは、自動ハンドリング装置に簡単に統合できるように設計されています。試験システムのソフトウェアは、製造実行システム(MES)や計算機支援品質保証(CAQ)などの商用制御システムと互換性があります。
- BiPolar試験システム
- IGBT & SiC MOSFET試験システム
サイリスタおよびダイオード(静的/動的) | GTOおよびダイオード(静的) | GTOおよびダイオード(動的) | |
阻止電圧 ACまたはDC |
倍 | 倍 | 倍 |
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ゲート特性 | 倍 | 倍 | |
オン状態、順方向電圧 |
倍 | 倍 | |
逆回復充電 | 倍 | 倍 | |
クリティカル dV/dt | 倍 | ||
転流ターンオフ時間 | 倍 | ||
ターンオン/ターンオフ | 倍 | 倍 |
信頼性試験システム
- 高温逆バイアス
- 断続的な動作寿命/電源サイクル
- サージ電流
- 周波数テスター
補助ユニット
- 型締装置
- コンデンサ放電ユニット
- 予熱ユニット
- プログラム可能なIGBTユニットとサイリスタゲートユニット
- データ取得ユニットとパラメータ抽出ユニット
お問い合わせ
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