名古屋フルバーチャル会議
第33回国際パワー半導体素子・ICシンポジウム（ISPSD）は、2021年5月30日から6月3日まで 、完全なバーチャル会議として開催されます。
ISPSDには、パワー半導体素子と集積回路、そのハイブリッド技術、アプリケーションに関する技術的な議論が含まれています。
日立エナジーの貢献
日付/時刻（CET） |
ストリーム |
論文 |
著者 |
水曜日 2021年6月2日 |
セッション6：SiCデバイスの堅牢性と信頼性 |
過酷な反復スイッチング条件下における1.2kV高K SiCパワーMOSFETSの閾値電圧安定性試験 |
Stephan Wirths、Andrei Mihaila、Nick Schneider、Gianpaolo Romano、Yulieth Arango、Lars Knoll 日立エナジー、スイス |
2021年5月31日～6月3日 |
ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー |
SiC電源MOSFETの温度依存過渡閾値電圧ヒステリシスおよび短絡イベントの影響 |
エレナ・メンゴッティ（Elena Mengotti）1、エネア・ビアンダ（Enea Bianda）1、デイヴィッド・バウマン（David Baumann）1、レノス・パパミチャリス（Renos Papamichalis）1、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）2、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）2 1）ABBスイス株式会社 2）日立エナジー株式会社、スイス |
2021年5月31日～6月3日 |
ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー |
3Dセルレイアウトの6.5kV SiC MOSFETのサージ電流機能評価 |
カロヤン・ナイデノフ（Kaloyan Naydenov）2、ナザレノ・ドナート（Nazareno Donato）2、フローリン・ウドレア（Florin Udrea）2、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）1、ジャンパオロ・ロマーノ（Gianpaolo Romano）1、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）1、ラース・クノール（Lars Knoll）1 1）日立エナジー株式会社、スイス、2）英国ケンブリッジ大学 |
2021年5月31日～6月3日 |
ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー |
High-Kゲート誘電体を使用した3.3kV SiCパワーMOSFETの堅牢なダイナミック動作 |
ジャンパオロ・ロマーノ（Gianpaolo Romano）、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）、ユリエス・アランゴ（Yulieth Arango）、アントニ・ルイス（Antoni Ruiz）、ラース・クノール（Lars Knoll） 日立エナジー、CH |
